Semikron SKM100GB123D

Описание SEMIKRON SKM100GB123D

SEMIKRON SKM100GB123D — это мощный IGBT-модуль в стандартном корпусе SEMITRANS® 3, предназначенный для тяжелых условий эксплуатации в силовой электронике. Модуль содержит в себе два IGBT-транзистора (half-bridge / двухключевая схема или "полумост") с встречно-параллельными быстродействующими диодами (обратный ток).

Ключевые особенности:

• Конструкция: Корпус SEMITRANS® 3 (электрически изолированное основание) — упрощает монтаж и обеспечивает хороший отвод тепла через изолирующую керамическую подложку (DCB).
• Скорость: Адаптирован к высокочастотной ШИМ-модуляции (до 20 кГц и выше) без существенных потерь на переключение.
• Технология производства: Используется "пайка чипа напрямую" (solderable mounting), что увеличивает срок службы и устойчивость к термоциклированию.
• Особенность корпуса: Установочные винты оснащены специальными армированными втулками, предотвращающими растрескивание корпуса при чрезмерной затяжке.

Технические характеристики (на модуль)

Данные при температуре корпуса (Tcase) = 25°C (если не указано иное).

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Электрические (Силовые): | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток коллектора (IC) | 105 А | Постоянный ток (при Tc=80°C) | | Ток коллектора (IC, пиковый) | 200 А | Импульсный ток (1 мс) | | Ток диода (IF) | 100 А | Средний прямой ток диода | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 400 Вт | Максимальная рассеиваемая мощность на модуль (часто учитывается пара ключей ~600 Вт) Please verify power | | Динамические характеристики (IGBT): | | | | Напряжение насыщения (VCESat) | ~1.9 В | При IC=100А, VGE=15В (Типично) | | Время включения (ton) | ~0.19 мкс | Зависит от сопротивления затвора и напряжения | | Время выключения (toff) | ~0.52 мкс | | | Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 5.5 В | Типичное, при VCE=VGE, ID=mA | | Заряд затвора (QG) | ~720 нКл | Необходимый для полного включения (типично) | | Диод: | | | | Падение напряжения (VF) | ~2.15 В | При IF=100A (Типично) | | Обратный ток восстановления (Irr) | Зависит от схемы | Характеристики восстановления (TRR) до ~400 нс | | Механические и тепловые: | | | | Тепловое сопротивление (Rthjc) кристалл-корпус | 0.14 К/Вт | (половина моста, один чип) | | Температура хранения (Tstg) | -40°C ... +125°C | | | Рабочая температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C | Максимум (при считывании датчика – окно контроля) | | Электрическая изоляция (иS) | 4.0 кВ (AC, 1 минута) | Между выводами и базовой пластиной | | Габариты (Д х Ш х В) | 93 мм * 20 мм * 30 мм (прибл.) | Точные данные см. чертеж SEMITRANS 3. | | Момент затяжки | М5 винты: 4 Нм, Главные винты: 2.5-0.4 Нм | |

Структура