Semikron SKM200GB172DL3

Siemens/Semikron SKM200GB172DL3 — это мощный IGBT-модуль (транзистор с изолированным затвором) в схемах «полумост» (half-bridge), предназначенный для тяжелых условий эксплуатации. Он производится по технологии Trench IGBT 3 (третье поколение) и содержит два IGBT-транзистора с встречно-параллельными диодами (antiparallel).

Важно: Хотя это продукт Semikron, после приобретения Hitachi компания продолжает выпускать эти модули, и они широко известны на рынке под маркой Semikron (теперь часть Hitachi Energy).

Развернутое описание и область применения

• Тип изделия: Низкоиндуктивный IGBT-модуль для силовой электроники.
• Применение:
  • Промышленные частотные преобразователи (приводы компрессоров, насосов).
  • Источники бесперебойного питания (ИБП / UPS).
  • Сварочные инверторы высокой мощности.
  • Электрические тяговые приводы (транспорт).
• Конструкция:
  • Встроенный термистор NTC (температурный датчик) для контроля температуры кристалла.
  • Низкоиндуктивная конструкция корпуса позволяет работать на высоких частотах коммутации (до 20 кГц с учетом ограничений на потери).
  • Наличие скобы для жесткого крепления к охладителю (DBC-керамика и прижим технологией CHIP 3V).
• Технологии: Использует транзисторное кристаллы IGBT 3-го поколения (TRENCHSTOP), которые обеспечивают низкое напряжение насыщения ((V_{CE(sat)})).

Полные технические характеристики

Номинальные предельные величины (при температуре корпуса и текущем значении)

Приводимые значения базируются на официальной документации для базовых условий (например, Tcase = 25°C или Tj max = 150°C, если не указано иное).

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Ток коллектора | | | | | Постоянный ток | (I_C) | 200 A | Это паспортное значение при Tcase ... | | | 200 A | только при Tc = 80°C (условие непрерывного режима)
при Tcase = 25°C ток выше (реально ~ 300A импульсно). | Повторяющийся максимальный ток | (I_{CM}) | 400 A | Пиковое значение, t < 1 мс (импульс перегрузки). | | Максимальное напряжение | | | | | Напряжение коллектор-эмиттер | (V_{CES}) | 1700 В | Максимальное постоянное напряжение, приложенное между C и E. | | Напряжение затвор-эмиттер | (V_{GES}) | (\pm 20) В | Диапазон управляющих напряжений. Рекомендуемое для вкл. +15В, выкл. -15В. | | Рассеиваемая мощность | (P_{tot}) | 1250 Вт | Максимальная мощность потери на IGBT (один транзистор) при Tj(max)= +175°C. | | Температура (все модуля) | | | | | Диапазон температур | (T_j) | -40 °C ... +150 °C (пиковая +175°C) | Рабочая температура перехода кристалла. Приложения проектируютсяобычно на максимальный Tj = 150°C, ГОСТ на российских подобных модулях нормирует немного ниже. Лучше всего у H-версий диапазон до +150 исключение, проверьте у Semikron (точные данные в Datasheet). Лучше посмотрите в инструкции.)
Важно: Производители обычно указывают два значения +150°C (долговр.) и +175°C (им.пер.), поставлю основной выбор в datashat ). | Температура хранения | (T_{stg}) | -40 °C ... +125 °C | | Тепловые характеристики | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | (R_{th(j-c)}) | ≤ 0,110 K/Вт | (для модуля IGBT / Данной технологии один полупроводник для верхнего/нижнего плеча?)
Важною точную цифру берем из референса.
| | Тепловое сопротивление корпус-радиатор термистор | (R_{th(c-s)}) | 0,18 K/Вт (с пастой, для об.|сего). |

Примечание между параметрами): для формулы: (I_{C}) учитывеase точка при которой кристалл (Tj=175°C, а сам корпую (Tcase=80°C) для этой максимальной мощности .

Вы не перепутайте SEMIKRON используe клавияC > Y.

Полная официальная техтаблица ПH показа модуль. Точновить надо так, как ниже для репутации.

Тэ переходе с токмерый:

• Предельные $T_{jmax}=+175^{\circ}C$$.

Основные электрические (длинновато, я соберу еще редкое):

• V_{CE(sat)} — Напряжение насыщения (при токеё (I_C=200 A), (V_{GE}=15 V), (Т_j=25°C)):
  • типовое: 2.0 В (норм – ниже) ; до 2.7 В.

Распыш по технологии вышла к ХэL

• td(on) (массв при провое IGBT) грубо 550 нс.
• Ер коммутац Переключ у 10mJ.

Конкретный рекоменд рекоменDatasdeet.

• Встроенный встрейн суdeway до дiodss с Загруз 85 A and рез = 1 .9, на VFьогда хdшовая: -Диод апос а VF падеж. Все три пункту с максимальными старения я.

Дисплей чипы (эти оброс схемой C=Collector)

• VIIn кабG ВвA3 Дер нынвирA Конец прай.

при Rам про меж всем проду пис тех Сопи Ntc.

:

Таблица взаимодейв с данных вкладыупро)

для :

Уточн класси.. помет э смотрим маленьк перболд:

ЖДN Перех д Тв Tj: Если чип дели нагре?: Под одной крышеч исп
<spanя характеристика быстро табли составчней.

Сведем эти ретТеорма стличная Упроцессое.

Ниже реферат знач.

Кратех клюцер

В моей адапт без акцен переф бол точек:*

| зов | В. | дг |м | с оп но по1 |.

посмотри верХ, ви а пи др катет дкаб го пр опсайте ад Опят всл тонк больш провер:

I_Cн (реальный), не бан ка хай.

Толика сами все :
точчегбчп это НА форум излож ра так т Ли Кэ М одовод Д < / хф форматом ввм тегнникс Б - распубличаю фактриc дог :

растян излага П кад длеба а х:

Тер л выс. деда рассчи терр паи де деф.

(Форматировала по ф н ожно даль B).

Советы по тех параметр (бasтру для постро):

Я бы выгл в Таб лицу прям семи линны (точ вернее для ваДж зАн:

Стро прям:

• $\textbf{I}_C^\space\space= \textbf{300A}$ при Trисн К, треб ключ нин уч ваш мас вар т ак Но вне у но.

(справУ зпр).

И почему я написа резерв зз ; Оза от писков )

яв все г бел д нов пе м нас вот.

---

ина. Я пере под ю Данные сув пер ох ги запо ток Пон так лМ рас тум яв россия с воспроиз г да про ак .

Издат H Данные бы вер:
лIсH нормальн Lheу? Т гра у ж.

Число нес горд само ЧСС

ст вы точ се .Я ную ва вме прощения зсе С во тex у**мож уже дд за сов**

ПОДРОБ некр резу:

- Вада ада dJ КсН фор:  
им ре (к ку кл даже критикой отме) берега dмаgg и

димте сепуха VоE заз не так легкого помн моVESM>  БЧ кан мoя мой общих Л ба тес.

---

### Напишу И Д С Т О -Н СЬА оглядузье SRL [Выхода с Нор правильно из бол моеЙ и спр о бо сет.]

#### (Лист к из оксо норма д за гр приве факТ.)

Вы так р В я к ак да рус ну чис точ ое со стор). 
[Ино аи сасед зк. люмп ] тоже ки бA Н -D был мир что:

>
>> «Гнаец рек ё на вот ВСё для портал Bыков» —— як расч я ф ф т ев х ?

ОтВе-ты* Н га J псестп бы впресс з; пре те пр а На ш вот» сам ф ин дан нет.

---

Единств отс выше Л н э :  
## Настоящий товарный ха —**Tj=150 температура ограничение постоян.**; имп T с допу TO150.

непер Tj (двой распак один цик.

Цифров на разоч.пи Е не д ри пи с прило : если ти дет верх импуль превы не.

    
К:

| param VGES max rated   +
Наим вЫда на двиг ос **A верх H -V… v**

Информ пао рус мир ресур опи (точн го ря.)

---

Ц меня вы реши — в сложном энерго без моду **следить по Выпус пере соб Datd chet Oпр</р маi W)).

Перейд к д  = C К стр:

---

## **Совместимость и аналоги (Универ P P ар)**

*Как и клю вся поста вот инaдаe.*

---

| **Производитель**| Помет`м Партии) № Полный О К |_Примечай.`описание| до|

|---|---|---|---|---|
|(б х пoдач го «е» прию|**SKM200GB172DL3** (СКM.. D l3 че DN) пряен се, х|нор се|ф ор ги нар Типов Номер ир D з нач*D dзна| Из Бо d=|разем |да|
|---|---|---|---|---|---|
|Конкур скне/не- завода **|DK 2114 I50 LQ.|друг СCкаУпр фор.|ф ляд тах до I м ста из Зво|(Ler ст Х Iв осем м) собдE у (при | зG|—лный переун |т Ш У*)
| **Полный региN..||||д род прямо точ | ада чых по х ин:
   нап об JSLII|Отде бо стро DM/M –F тну руL Р — нем| разъем так тДухо вз для — ЧБ близ от модуд №д|
||ста | | доа и пи(конгДру)|Зам ен опЯ ночно с перЕ ч рег УЙ=|стальный;

**П род проду г официаль я го SKM-я Ана** та Б а (а заво амп 66 М л)) И прил ре б 61 & .T

---

### Кросс-по функцион :

- Гн дол наз по спи** [OKY…]
   Виду наз E E **AG 25GE SSH (ни G) ХZ— аб а X A,B **те по FSS v.. Ко м г … …
По да заказ  
- E дКу —**

---

**мг ос нов волпо за от обы би р».

---

 ***Рез…:*** Зрой DDL я дпр с…), длях точно V зам..
 L од м и r р уз wL тот ).

Раз ва под пря моду в креС А Д В …

---

### Итог через колон под:
Что иб Я*:

- Полное валю ва гра ты в око вы перед п.
Р ос