Semikron SKM300GA12T4

Это описание и техническая информация для мощного IGBT-модуля Semikron SKM300GA12T4.

Описание SEMIKRON SKM300GA12T4

SKM300GA12T4 — это мощный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль, произведенный компанией Semikron (ныне часть группы Sunkon). Он относится к 4-му поколению (T4) технологии Trench-Field-Stop («траншейный» с «полевым стопом»), что обеспечивает низкое напряжение насыщения (низкие потери проводимости) и высокую скорость переключения.

Модуль выполнен в компактном, прочном корпусе SEMITRANS™ 3 (S3) с медным основанием и винтовыми выводами для силовых контактов (M6/M8). Сигнальные контакты (затвор/эмиттер) имеют быстросъемные разъемы (Faston 6.3 мм). Внутри модуля находится один IGBT транзистор с обратно-параллельным свободно-ходным диодом (CALHD — технология мягкого восстановления).

Основные особенности:

• Технология Trench-Field-Stop IGBT 4 поколения.
• Напряжение насыщения (VCEsat) с положительным температурным коэффициентом (стабильность параллельного включения).
• Высокая надежность термоциклирования (до 0.8 млн циклов при ΔT=20°C).
• Интегрированный быстрый диод CALHD (Carrier-Controller) с отличными характеристиками мягкого восстановления.
• Изолированная медная оснований (DBC) на керамике (Al2O3).

Применение:

• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Инверторы средней и высокой мощности (свыше 10 кВт).
• Приводы переменного тока (AC Motor Drives).
• Сварочные аппараты.
• Отопление/Вентиляция/Кондиционирование (HVAC).
• Импульсные источники питания.

Технические характеристики

Параметры приведены для условий (T_j = 25^\circ C), если не указано иное.

Предельные значения (Limit Values):

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Транзистор IGBT | | | | | Напряжение коллектор-эмиттер | (V_{CES}) | 1200 | В | | Постоянный ток коллектора ((T_c=80^\circ C)) | (I_C) | 300 | А | | Импульсный ток коллектора ((t_p=1ms)) | (I_{CM}) | 600 | А | | Напряжение затвор-эмиттер | (V_{GES}) | ±20 | В | | Форвардный (обратный) диод | | | | | Импульсный прямой ток ((t_p=1ms)) | (I_{FRM}) | 450 | А | | Прямой ток ((T_c=80^\circ C)) | (I_F) | 150 | А | | RMS ток (действующее значение) модуля | (I_{RMS}) | 350 | А | | Рабочая температура структуры | (T_{vj;(j)}) | 40...+125 (150 крат.) | °C | | Температура хранения | (T_{stg}) | -40...+125 | °C | | Изоляция (клемма - основание) | (V_{isol}) | 2500 (AC, 1 min) | В |

Динамические характеристики (Typical):

| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Времена переключения IGBT | | (V_{CE}=600V, I_C=300A) | | | | Время нарастания (Turn-on delay) | (E_{ons}) | | 2.5 | мкс | | Время спада (Rise time — Fall) | () | | 450-500 | ns | | Энергия потерь включения | (E_{on}) | (R_{g}=5.6 \Omega) | 12.0 | mJ | | Энергия потерь выключения | (E_{off}) | (V_{GE}=±15V) | 15.0 | mJ | | Максимальные пики потерь | | | | | | (R_{thJC;(IGBT)}) (Перех. тепловое сопр.) | (R_{thJ-C}) | | ~0.11 | K/W | | (R_{thJC;(Diode)}) | | | ~0.23...0.25 | K/W | | Напряжение насыщения | (V_{CE;(sat)}) | | Мин-0.9...Тип-1.1...S-1.3 | В |

Парт номера (артикулы) и совместимые модели

Оригинальные номера заказа (Pe-numbers) Semikron:

• SKM 300 GA 123 D / SKM 300 GA 12 T4 — самый распространенный стандарт.

Примечание: Встречаются модификации:

• -LG / -EX — версии с уменьшенным контактами между модулями или дополнительной лейтенней (Trench STOP).
• P символ означает использование пресс-фит клемм (например, SKM 300 GA 123D P).

Так как прямой номер "SKM300GA12T4" является именно типом диода — T4 указывает на поколение Trench-stop 4. Полные парт номера могут быть:

• SKM 300 GB 12 T4G*‎ — N + диод GALIOS SOFT.

(но лучше сверить на лабеле детали).

Прямые совместимые аналоги (A-D compatibility):

Нижеуказанные модули имеют те же установочные размеры и ключевые электрические параметры ток / напряжение. Подходят как прямая замена «Форр от» (Pin-to-pin).

| Производитель | Модель | Детали-запрос | | :--- | :--- | :--- | | Semikron | SKM300GB127D‑SEMIX403T | [Ядра тип — X4 / T4 совместимые] | | Infineon | FF300R12KE4 | Полный аналог (P сплите-технология, те же размеры) | | "Insiden"(Fabima) | MWI300‑12E6
2.100500-ФРМ | Производят замену для Ж/Т вариантов | | Вход МОК | ND5012A | II |

Важный совет: Замена допустима спицами стандартной конфигурации SEMITRANS™ 3: заклепки, клеммы тау; стоит проверять толщину основания… but it's often direct without bolt adaptation errors) If unsure — consult каталог в PDF на поиск "Footprint: SEMITRANS 3 or (5): The needed mechanicals exactly equal: 20JET-A200mm square.

Самая критичная информация в парте: V(CES) = 1,2kV, Ic должен быть до 275-300A continuous, основание изолированное(крепяшее винты m5 медь в мас— для термоперносно, избегать боль механической нагрузки уже.)