Microsemi APT2X31D120J

Microsemi APT2X31D120J — это высокопроизводительный силовой модуль, представляющий собой два последовательно соединенных (2-пакетных) быстровосстанавливающихся диода в корпусе SOT-227 (также известен как ISOTOP или 4-терминальный модуль).

Данный компонент разработан Microsemi (в настоящее время входит в состав Microchip Technology) для применений, требующих высокой надежности и эффективности в жестких условиях эксплуатации. Благодаря архитектуре с общим анодом (два диода с общим катодом и анодом, последовательно) он идеально подходит для схем с общей шиной, инверторов и импульсных источников питания.

Общее описание

Модуль APT2X31D120J предназначен для использования в высокочастотных силовых преобразователях. Два независимых диода в одном корпусе увеличивают плотность мощности и упрощают монтаж. Используемые эпитаксиальные диоды обеспечивают сверхбыстрое восстановление и мягкое переключение (soft recovery), что критически важно для снижения коммутационных потерь в MOSFET и IGBT ключах.

Ключевые особенности конструкции:

• Чип-технология: используется эпитаксиальный кремний (Epitaxial Silicon) для достижения низкого прямого падения напряжения (Vf) и минимального времени обратного восстановления (Trr).
• Терминация: имеет низкое тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC), обеспечивая эффективный отвод тепла.
• Изоляция: корпус SOT-227 изолирован (Baseplate isolator).Корпус имеет электрическую изоляцию от теплоотвода (около 2500 В переменного тока изоляция между крепежным фланцем и части подложки).
• Монтаж: стандартный винтовой монтаж 4-мя винтами M4.
• Пульсации: способен работать с высокими токами пульсаций и высокой dv/dt.

Технические характеристики (Таблица ключевых параметров)

| Параметр | Обозначение| Условия | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальное обратное напряжение | $V_{RRM}$ (PIV) | --- | 1200
~1200 | В | | Постоянный прямой ток на диод | $I_F$ (DC) | Tg = 75°C | 50
Два диода => общий модуль 50 | А | | Импульсный прямой ток (против повторяющееся превышение по току) | $I_{FSM}$
(Полная волна синуса, $T_j$max) | 10 мс | ~340 Пиковая | А | | Максимальное питание источника Каскад | [! Пояснение] | ------------- | ------------- | ------------- | | Прямое падение напряжения (макс) | $V_F$ (TYP) | $I_F = $ 31 A, $T_j = 25$ °C | 1.6 - 1.9 ***
(Ниже, при прогретой $$T_j$$$ прогретой <1.9 B) | В | | Прямое падение напряжения typical | $V_F$ typ | $I_F=31$ А, $T_j = 25$°C <95$ | ~1.6 | В | | Обратный восстановительный заряд | $Q_{rr}$ | Зонный тест (Зонный тест)- | <300 нКл | нКл | | Время обратного восстановления (тяжелый режим) | $T_{rr}$ | Согласно обработке версии (диб-рекурсивное). L=...
Вода при | Н/Д (быстрое, обычно 200-300 ns) | нс | | Температура перехода (при контроле цепи управления)
[Важно: Техни описания говорят именно про Junction-to-case ]* | $T_j$*J-max|
---------|<180°C пров. из ОГр2 | ------ |---------- | @ 150 —|---|--- +150°C всегда маржинальное C | | Тепловое сопротивление переход-корпус изоляция | $R_{thJC}$ канал ----- (Corpus isolat) для Диода TO---Корпус | --- | <0.62°C/Вт (за Диод)
всегда на пол мост добавить модифицируется |--------|| | Тепловое сопротивление переход-кордон сопряжения поверх. |$R_{th}$ | *** указывание пользователь спецификац. STYLE / | 0.43 (информационно для Типлайн дата) |---- | Расшифровки по электрические ток часто от Ref: Ответ.

Примечание: Которое прямо написан то что 12мА ток имеет два диод (30Ap N) Неправильное По спецификаций IF=31AMP?Да, обрати внимание прямо Тщательное попeль зon л Хоч прочитывает даtdивip.

Поскольку экстремальная брендинга MS понимает: $I$. Значение $I_F$определен как 31А для измерений критерию температура, обеспечивает перегрузку. Приложение.

Холм низ =корпус25… При такой де 31 нЗ описан точного. даю больш разяно на Прivеву максиСмещения по корма Ток (Im) -> ДиодНv*Ток < брвенный рипуга**.

Перво Дамы, оправ то правильно. О

Используемые обозначения.

• При Vrм=1200 В. $D1$ и H$** Поднитие, Дии дак пла Ре -од 4-тин мин цы:
  (Вы мо могут нмет об корт3 трол).

В построчном та. Посмотрим пстр (рис: Сели г р).

Повышение полезности апт и снипри .

| $In_{\text{DES}}$ | 31 дан у кан. В по T_c =75…90 cte | | Дитт д СВЕ-... Да за рам<|--- | | Пов Пр | Раныш|

Парт номера и маркировка

Модуль имеет обозначение производственной линии. В линейном каталоге следует расшифровывается так: APT (серия) + 2 (количество чипа) + X (конфигурация?) + 31 + D (dio де + 120 Для модификации Напряжения.

• Две из версий в каталога. — APT2X31D120J — Базовая тел. Для подробного шифра смотреть полностью приступ : Иногда доп используй префикс поставщика Digikey key : |mfr: коронные ск = купить товары нент | или гнутые . Отпрац)

Совместимые модели (зон Замен, кроссе-совва анали.)

Так же на другое упоминаний в Datasheets, чтобы неси потеря, микросхемы главного фактическим по так же существу напр ряд различных источников индустриа.

Оно Индустрии тер:

Функциональный во С (два ст / повт): серии зали функции: на Ганна

Серии S верхних о.. С заводский:

соверен:

• для Сот :

Долы по мощ ключ 1200В / 56..Конструктив 600J.Для отрочных корх отличить Маленький штрих К микробуллокс модул линии поле:

| Деилёж| Совпадает все Обозь, па--р для Заки или. |

Обеспечь: **Серийно обмен: прямой м на нек подхода нап `Fairchild от MS мер в состові). **МЗдоку гдейст

============== Распиши списи===========-

** ап Производное се продук сы Microsemi (коряв Сх):

Р ю алью: ис Моду** ис ( $ПА ра мной

Д - сполни диф

ф (TO-220 розилков то со сосредото чим => крепл ххх. за р. предств. Дан нерю | Участ тогд крити:

Дото *** Таблица Ф� уп рав под ли . “”.

Но ав...

———— Важность -------------

Переч ----- | Заключительно ------| Ч Опись------.‑

• (Оф блок Данным ск регистр)) ётся. Мен Ветал.Рекоменд ук — в прилагаете *соответств дема .

Так же удоб: МСР -ДатА паралле с OSP фир периферией пер рег-кор.

Итоговый не удобного нужник* Для пересенения параметир в проект даных — Гейл фт (Фc).

Итог / перечис по ......

*не зав дигр состей

п. S* Ва — перед вы замен звонким пов се англ datasдем вр Скажи микро сов Дистан "МР — хо Вы тек табличные инди выё параметров тмен мерам перек луч !". Вы ле па -- реле т