Microsemi apt35gn120l2dq2g

Отличный выбор! Microsemi APT35GN120L2DQ2G — это высококачественный IGBT-транзистор с диодом обратного хода (co-pack diode), предназначенный для мощных и надежных приложений.

Краткое описание

APT35GN120L2DQ2G — это N-канальный IGBT третьего поколения (Gen 3) в корпусе TO-247-3L. Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Низкое падение напряжения в насыщении (Vce(sat)) и быстрое переключение, что снижает коммутационные потери.
• Высокая надежность: Промышленное качество Microsemi (ныне часть Microchip), рассчитанное на жесткие условия эксплуатации.
• Широкий диапазон безопасной работы (SOA): Позволяет использовать его в схемах с высокими токами и напряжениями.
• Встроенный ультрабыстрый обратный диод: Упрощает схемотехнику и улучшает производительность в инверторах и мостовых схемах.
• Основные применения: Силовые инверторы, источники сварочного тока, промышленные приводы (частотные преобразователи), источники бесперебойного питания (ИБП), системы управления электродвигателями.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT + антипараллельный диод | | | Корпус | TO-247-3L (также известен как TO-247) | | | Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый IGBT. | | Постоянный ток коллектора (Ic) при 100°C | 35 А | Номинальный ток при указанной температуре корпуса. | | Ток коллектора импульсный (Icm) | 70 А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (Vce(sat)) | 2.0 В (тип.) | При Ic=35A, Vge=15V. Показывает потери проводимости. | | Напряжение отпирания затвора (Vge) | ±20 В (макс.) | Стандартное рабочее напряжение затвора: +15В/-5...-15В. | | Заряд затвора (Qg) | 130 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу затвора. | | Время включения (ton) / выключения (toff) | 36 нс / 250 нс (тип.) | При тестовых условиях. | | Параметры встроенного диода: | | | | * Прямой ток (If)* | 35 А | | | * Импульсный прямой ток (Ifsm)* | 70 А | | | * Прямое падение напряжения (Vf)* | 2.2 В (тип.) | | | * Время восстановления (trr)* | 85 нс (тип.) | Важно для коммутационных потерь. | | Максимальная температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.50 °C/Вт | Чем меньше, тем лучше теплоотвод. |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот IGBT является частью обширного семейства. Вот его прямые аналоги и совместимые модели от других производителей. Внимание: При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по динамическим характеристикам и контурам управления.

1. Прямые аналоги и варианты в семействе Microsemi (Microchip):

• APT35GN120L2DQ2 — Базовая модель в том же корпусе (разница может быть в упаковке или ревизии).
• APT35GN120L2D — Может быть версией без указания конкретной упаковки ("G" в конце часто означает "Lead (Pb)-free").
• APT35GN120J — Модель из предыдущих поколений или с немного другими характеристиками (например, более высокое Vce(sat)).
• По аналогии: APT50GN120J, APT30GN120J — модели на другой ток (50А и 30А) того же напряжения и поколения.

2. Совместимые / аналоговые модели от других производителей:

• Infineon: IKW40N120T2 (40A, 1200V, TO-247, Gen.3), IKW30N120T2 (30A). Серия T2 от Infineon — очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог.
• Fuji Electric: 2MBI200VN-120-50 (модуль на 200А, но для поиска дискретных аналогов стоит смотреть на серию 2SC...).
• ON Semiconductor: FGH40N120SMD (40A, 1200V, TO-247-3L) — мощный аналог с хорошими характеристиками.
• STMicroelectronics: Серия STGWxxH120DFx (где xx — ток). Например, STGW40H120DF2.
• IXYS (Littelfuse): IXGH40N120B3D1 (40A, 1200V, TO-247) — еще один качественный аналог.

Важное замечание по совместимости: При замене необходимо проверять не только Vces и Ic, но и:

• Характеристики переключения (ton/toff, trr диода) — могут влиять на нагрев и ЭМП.
• Заряд затвора (Qg) — может потребовать корректировки параметров драйвера.
• Корпус и расположение выводов (хотя TO-247 стандартен).
• Напряжение насыщения Vce(sat) — влияет на потери проводимости.

Для ответственных применений рекомендуется использовать оригинальный APT35GN120L2DQ2G или аналог, выбранный после тщательного сравнения даташитов и, желательно, тестирования в конкретной схеме.