Microsemi TO247AC

Microsemi TO-247AC — Описание и технические характеристики

Microsemi (ныне часть Microchip Technology) — ведущий производитель силовых полупроводников. Корпус TO-247AC — это стандартный мощный изолированный корпус с тремя выводами, предназначенный для монтажа в отверстия (through-hole). Он широко используется для дискретных компонентов, работающих с большими токами и напряжениями (от сотен вольт до нескольких киловольт, от десятков до сотен ампер).

Конструкция и преимущества корпуса TO-247AC

— Три вывода: (Gate/Затвор, Drain/Сток, Source/Исток — для MOSFET; или G, C, E — для IGBT). — Металлическое основание (таблетка): Обеспечивает низкое тепловое сопротивление (RthJC), но вывод таблетки электрически соединен с выводом Drain (стоком) (у стандартных моделей) или изолируется в специальных сериях (например, с суффиксом «-4»). — Пластиковый корпус: Устойчив к термоциклированию, имеет хорошие диэлектрические свойства. — Крепежное отверстие: Диаметр ~3.5 мм (обычно под винт M3 или #6). — Высокая надежность: Специально разработан для применения в жестких условиях (температуры, вибрации).

Основные технические характеристики (типовой диапазон)

Конкретные параметры зависят от назначения прибора (MOSFET, IGBT или диод). Ниже приведены средние показатели для линейки Microsemi в корпусе TO-247AC.

| Параметр (символ) | Значение (типовое) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток (VDS) | 200 В – 1200 В | Зависит от серии (например, APT50M50 – 500В) | | Постоянный ток стока (ID) | 20 А – 100 А | При Tcase=25°C | | Импульсный ток (IDM) | 100 А – 300 А | Зависит от теплового режима | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | от 0.06 Ом до 0.3 Ом | Для MOSFET высокого напряжения >600В значения выше | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 250 Вт – 600 Вт | Зависит от конструкции кристалла | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.15 °C/Вт – 0.45 °C/Вт | Переход-корпус | | Рабочая температура (TJ(опер.)) | -55°C до +150°C | Предел на кристалле |

Геометрия корпуса: — Ширина: 16.1 мм — Высота: 21.0 мм — Длина массы (с выводами): 23.2 мм — Расстояние между выводами: 5.4 мм (стандарт)

Типы приборов Microsemi в корпусе TO-247AC

Microsemi использует этот корпус для большинства своих мощных ключей:

1. Power MOSFET (полевые):
   • Французская линейка APT (Advance Power Technology), купленная Microsemi, использует этот корпус массово.
   • Обозначение начинается с APT..., MS... или R....
2. IGBT (биполярные с изолированным затвором):
   • Высоковольтные (600В, 1200В) однополярные и встречно-параллельные с диодом (co-pack).
3. Быстровосстанавливающиеся диоды (FRED):
   • Серии APT...DQ... или...DR...* (диоды с ультрамягким восстановлением).

Совместимость и партномера (для замен)

Microsemi не является массовым производителем "униконов", в основном они используют стандартные структурные обозначения. Вот примеры партномеров(part number) Microsemi и их совместимые (кросс-референс) зарубежные аналоги для конкретных ключей.

Типичные примеры (Парт номера)

| Тип прибора | Номер Microsemi (APT) | Параметры (V/ A/ R или V_cesat) | Совместимый аналог (частая замена) | | :--- | :--- | :--- | :--- | | MOSFET 500В | APT50M50B2 | 500В, 58А, 0.12 Ом | IRFP460B, TK5A50D (расхождение по току) | | MOSFET 600В | APT27M60B2 | 600В, 27А, 0.19 Ом | STP28N60M5, IXFH26N60P | | MOSFET 200В (низ.
сопротивление)
со встроенным диодом | APT10F20BN | 200В, 51А, ~0.05 Ом | IRFP260 / FDP52N20T (нет OEM экв.) | | IGBT 1200В (N-Ch)
Toggle | APT50GT120KR | 1200В, 50А, Vcesat~2.1 | STG50N120K, IKW50N120T2, IRG4RC50W | | IGBT 600В (short) с диодом | APT25GA60B | 600В, 25А, Vcesat~1.7 | IRGP4050, FGL25N120B |

Реоценз Non-standard — Microsemi специальные гибриды

Иногда Microsemi использует -US (ультра-устойчивые) или армированные серии: — AL12, AL30, XL... — для авиации, имеют индекс A/B/L.

Строгая совместимость практически со 100% совпадением затруднена, так как Microsemi проектирует под собственные кристаллы, и аналог у остальных вендоров может занимать большую площадь кристалла (он будет лучше по термосопротивлению, но дороже — например, можно ставить IRFP460 из фирм Infineon на место APT50M50B2 с учетом коэффициента безопасности по соотношению Тth).

Где взять точные данные?

Если Вам нужно определить тип для датишита, используйте первые буквы маркировки.

_Пример полного партномера для серии MOSFET: AT + P (Power) + T (Technology) +... даст каталожный даташит по корпусу TO247, Различный дизайн одного и того же корпуса позволяет утверждать, что механический стандарт задан документом MS-027AB (он эквивалентен JEITA персе)

Итог: Корпус универсален, совместимость решается простым упреждением "вставлю в плату" — все Microsemi TO247 поддерживают стандартную раскладку 5.43xp. Если сомневаетесь, пишите маркировку в ответ, предоставлю кривые.

Если нужно расчет теплового размыка: сообщите напряжение или типа ключа — для датишита наберите префикс перед -B2, дайте батчмарку.

📞 Для оперативного подбора советую искать в базе LCSC / RS по помделю в запросе "IRS** "-ON или "TDB****" - корректный подбор не будет трифки.