Sanken 2SA1117

Конечно, вот подробное описание транзистора Sanken 2SA1117, составленное на основе доступной технической документации.

Описание

Sanken 2SA1117 — это кремниевый PNP-транзистор общего назначения, предназначенный для применения в схемах усиления низкой частоты (НЧ) и переключения. Он характеризуется высоким статическим коэффициентом усиления по току (hFE) и низким напряжением насыщения, что делает его особенно подходящим для:

• Усилительных каскадов в аудиоаппаратуре.
• Драйверов маломощных устройств.
• Цепей управления и переключения в источниках питания и другой электронике.

Транзистор поставляется в миниатюрном пластиковом корпусе SOT-89, который обеспечивает хороший отвод тепла благодаря наличию металлической площадки, припаиваемой к печатной плате.

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)

Параметры, превышение которых может привести к выходу устройства из строя.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | Vceo | -50 | В | | Коллектор-база напряжение | Vcbo | -50 | В | | Эмиттер-база напряжение | Vebo | -5 | В | | Коллекторный ток (постоянный) | Ic | -1.0 | А | | Коллекторный ток (импульсный) | Icp | -2.0 | А | | Рассеиваемая мощность на коллекторе (при Tc=25°C) | Pc | 1.0 | Вт | | Рассеиваемая мощность на коллекторе (с радиатором на плате) | Pc | 1.5 | Вт | | Температура перехода | Tj | 150 | °C | | Температура хранения | Tstg | -55 ~ +150 | °C |

Электрические характеристики (Ta = 25°C)

Типичные рабочие параметры.

| Параметр | Условия тестирования | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение пробоя Коллектор-Эмиттер | Ic = -10 мА, Ib = 0 | -50 | — | — | В | | Напряжение пробоя Коллектор-База | Ic = -100 мкА, Ie = 0 | -50 | — | — | В | | Напряжение пробоя Эмиттер-База | Ie = -100 мкА, Ic = 0 | -5 | — | — | В | | Коэффициент усиления по току (hFE) | Vce = -6 В, Ic = -150 мА | 120 | — | 400 | — | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | Ic = -500 мА, Ib = -50 мА | — | -0.25 | -0.5 | В | | Граничная частота усиления по току | Vce = -10 В, Ic = -50 мА, f=1 МГц | 120 | — | — | МГц | | Шумовое напряжение | Vce = -6 В, Ic = -0.5 мА, Rg=10 кОм, f=1 кГц | — | 0.5 | — | мкВ | | Емкость коллектор-база | Vcb = -10 В, Ie = 0, f=1 МГц | — | 25 | — | пФ |

Прямые аналоги и совместимые модели (Pin-to-Pin Replacement)

Транзисторы с аналогичными характеристиками и цоколевкой (SOT-89):

• 2SA1117 (Sanken) — оригинальная модель.
• 2SA1117 (Toshiba) — часто указывается как аналог.
• KTA1117 (KEC) — популярный и доступный аналог.
• 2SA1586 (Toshiba/Rohm) — близкие параметры, подходит для замены.
• 2SA1208 (Sanyo) — также подходит для замены во многих схемах.
• BC856B / BC857B (SOT-23/SOT-89) — европейские аналоги общего назначения, но с меньшей мощностью и напряжением; требуют проверки по параметрам в конкретной схеме.

Важные замечания по замене:

1. 2SA1117 vs 2SB1117: Это разные транзисторы. 2SA1117 — PNP, а 2SB1117 — NPN-структуры. Они комплементарны друг другу, но не взаимозаменяемы.
2. Проверка datasheet: Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитами, особенно по расположению выводов (pinout) в корпусе SOT-89, так как у разных производителей оно может отличаться (B-E-C или E-B-C).
3. Радиатор: Для работы на максимальных токах и мощности обязательно использовать предусмотренную площадку на печатной плате для отвода тепла.

Типовая схема включения (усилительный каскад)

Чаще всего используется в схемах с общим эмиттером:

    +Vcc (Например, +12В)
      |
     [Нагрузка]
      |
      |---- Коллектор (C)
      |
    2SA1117
      |
      |---- Эмиттер (E)
      |
     [Резистор в цепи эмиттера]
      |
     GND

База (B) управляется через смещающие резисторы или предыдущий каскад.

Области применения

• Выходные каскады НЧ-усиления малой мощности.
• Драйверы для управления более мощными транзисторами.
• Линейные стабилизаторы напряжения.
• Цепи переключения в блоках питания и управляющей электронике.

Вывод: Sanken 2SA1117 — надежный, проверенный временем транзистор для маломощных аналоговых схем, ценимый за высокий коэффициент усиления и доступность аналогов.