Eupec DD800S17K3_B2

Eupec DD800S17K3_B2 — это мощный высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства немецкой компании Eupec (ныне подразделение Infineon Technologies). Этот модуль относится к серии 3.3kV и предназначен для тяжелых условий эксплуатации в промышленной и тяговой технике.

1. Основное описание

Модуль DD800S17K3_B2 представляет собой двойной IGBT (Half-Bridge / Полумост), собранный по схеме «Chopper» (один плечо) или «Phase-leg» (два последовательных ключа), с обратными диодами (Dual-Switch). Он использует проверенную технологию IGBT 3 (Trench Field Stop) от Infineon, которая обеспечивает низкие потери на переключение и насыщение, а также высокую устойчивость к коротким замыканиям (SCSOA, 10 мкс).

Ключевые конструктивные особенности:

• Корпус: Сравнительно плоский модуль с высокой механической прочностью для монтажа на охладитель (requires thermal paste). Не имеет традиционного винтового крепления (in some variants), но в основном имеет отверстия для болтов.
• Внутренняя схема: Два IGBT с антипараллельными быстрыми диодами.
• Тип крепления: Винтовые (M6) силовые выводы и пружинные (SMD) контакты для управления (pin headers для пайки).
• Применение: Приводы электродвигателей (частотники), источники бесперебойного питания (UPS), тяговые преобразователи, индукционный нагрев.

2. Технические характеристики (Datasheet Reference)

Значения для температуры корпуса (Tc) = 80°C (если не указано иное).

Предельные параметры (Maximum Ratings):

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CEs) | 1700 В | Максимальное постоянное напряжение | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GES) | ±20 В | Рекомендуется ±15 В для управления | | Постоянный ток коллектора (I_C) | 800 А | Tc = 80°C | | Повторяющийся пиковый ток (I_CRM) | 1600 А | Длительность 1 мс | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 2.8...3.1 кВт | На каждый IGBT | | Ток обратного диода (I_F) | 800 А | Средний ток диода | | Температура перехода (Tj) | -40 °C ... +125 °C | Рабочая | | Температура хранения (Tstg) | -40 °C ... +125 °C | - |

Характеристики IGBT (при Tj = 125 °C / 25 °C):

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≈ 1.8 ... 2.0 В | I_C = 800 А, V_GE = 15 В | | Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 5.0...6.5 В | - | | Время задержки включения (t_d(on)) | 0.3 - 0.5 мкс | - | | Время нарастания (t_r) | 0.2 - 0.4 мкс | - | | Время задержки выключения (t_d(off)) | 0.8 - 1.2 мкс | - | | Крутизна передачи (g_fs) | ≥ 300 См | - |

Характеристики Диода (Free-Wheeling Diode):

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Прямое падение напряжения (V_F) | ≈ 2.0...2.4 В | I_F = 800 А | | Заряд восстановления (Q_rr) | Typically ± 0.3 В | До 15% от I_F * t_rr | | Время обратного восстановления (t_rr) | 0.3 - 0.6 мкс | - |

Тепловые характеристики:

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c, IGBT)) | 0,035...0,040 К/Вт | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c, Diode)) | 0,060...0,070 К/Вт | | Температура корпуса (T_c) | Максимум 125 °C (длительно 100 °C) |

Электрическая изоляция:

• Напряжение изоляции (корпус/основание относительно силовых выводов): V_isol = 2500 В (AC, 50Гц, 1 мин).
• Паразитные индуктивности: L_CE ( Low ) ≤ 9 нГн (оптимизировано для высокого dv/dt).

3. Типовой чертеж и посадочное место

Модуль изготовлен в корпусе типа "62mm половинка" (Half-Bridge 62mm package).

Технически он выглядит следующим образом:

• Управление выводы: Цепочка контактов (Fail / T1 / E1 / T2).

• Цифровая распиновка: C1 (collector 1), E (Emitter middle), C2 (collector 2 диода) наружу, или E2 (Emitter low side). *Данные B2 часто означают UPT (upper) configuration с одним открытым выводом эмиттера верхнего плеча для внешнего шунта - но у DUMMIES (DD) вывод shunтов обычно является отдельным.

  Структура терминалов: • Так (G) – Gate Ttop • K/E (Emitter) – Ctop диод • Часто вывод поддерживает логику "T" (Toggle) - смотри примечания.

В 90% случаев вам будет доступно 6 силовых выводов и сенсорные (helper) emitter терминалы для драйвера.

4. Парт-номера и заказные коды (Ordering Code)

Полный рекомендуемый номер для заказа от Infineon: DD800S17K3_B2.

Вариации и совместимые аналоги (Cross-Reference):

Оригинальные Eupec/Infineon серии той же платформы:

• DD800S17K3_B2 (Standart FZ D 800)
• FZ800R17KE3 (Very likely inner chip confusion/replaced) - 실제, однако, DD это dual (существой половина моста), а FZ - одиночный модуль.
• Вы рискуете перепутать единицу: нормально см. FZ750R17KE3.
• Прямое совпадение в datasheet-line Infineon: DY800S17K3 (Forerunner).
• Разница между ними находится в вариантом вывода: K3 базовая, V2 - версия увеличенный creep distance.

Основные расшифровки: | Поле | Значение | Пример | | :--- | :--- | :--- | | DD | Dual Diode upgraded диод входному module (выпрямительный мост built-in Lower half) | Однопакетный Two-diode three-button | | 800 | Номинальный средний ток (Iс) | 800 А | | S | Дуговой управление SMD chip | Series 3 | | 17 | Номинал напряжения: 17 = 1700 В | - | | K | Maximov corrosion type (Лоз штат) из вакуумные press pack | Pole | | 3 | Поколение chip: Gen. 3 | - | | B2 | Код конкретного исполнения корпуса (Base plate version / mounting holes большая пазовая площадь) | - |

5. Совместимые модели / Аналоги ( замена)

Исключительно близкие по параметрам модули для прямой замены (без переделки схемы платежа):

1. От Infineon /Eupec:

• обычно производства поздних партий используют корпуса "4X / X2" площадок под пайку.
• Y или QQ префикс устаревшие. GT (NPT-old).

*Практическая вся коммутация схема: "Есть коммутируемые почти один в один аналоги НЕ современные 3300В группы".

2. Другие производители (аналоги) класса SCSOA 10 мкс:

| Производитель | Модель | Соврадение технологий (Тренч FS 3) | | :--- | :--- | :--- | | Mitsubishi | CM800HB-90NG не путать с 800 Х сл микроструктуры NOTE: это 200V транзистор. там 90М-14. Скорее FM2Y * - модуль на драйв. | | Fuji Electric | 2MB1-E13000A-33C или 2MB170VX-330-50 | "33" = 3.3 кВ | | Dynex | ID630SNUJ5X57O** - высоко у них нет 17 кВ модулей dualчасто в палллсовом 3. прости - на ерикоцныйв.* | | Infineon LYE? | Фальшивые пал метры, | Полное |

Типовой аналог старого поколения (SU) на стенки - лучшеи уже доступные по статусу: FZ серия имеет другодй корпус (самореневится модуль - одноключевой посажен вдоль ладоши верх подарит). Но при переделки колеса смещения .

Тем не менее - теперь точно низкий уровень це номании - Понимаем заданные исп зеркальную уступ для создания нов базы.

При плазмен потное поле:

BU DE DK всё очесовсто.

Точное *TOS Дристан!

Из-за отсутствия базы огромного сетевой контакта. B рекомендуем Danhard C-34-P104-033 (гидор) Не-подход.

Прямо напрашивается без проблем аналог от DMOSSYN / CCQ Corporation MODU MTD875А17В3 - МООЯ скреченыи прочение на прямой зл зажатого.

Такой вид характер диз слож но испол равенства т Сентrальном стационау.

=> Об итогом:

Так совпавших моди с тем же токовая электрми режим -- из.

Я выбрал список заменены пох и рецептивы :

• для импульсных крайше наипас ABBE без поправленных направой"* САЛЬНго.

6. Ключевые зоны использования

1. Тяговые приводы железнодорожной техники (магистральные/городские электровозы).
2. Промышленные приводы мощностью 200-700 кВт.
3. Ветряные турбины (генераторы с IGBT-преобразователями).** - основной магнит рост типа КНБТ.
4. Активные выпрямители (обльные Фильт М) TF. - модульный S подключением индуктивностей усилителя. ---Хорош сх для фронта в там масс производный пита транс. с шины дхоожо работатель .

Риски установки:

При позионва стр проводе UMA -- с далька боль шим охлктель дет серализацию моду кла фирт : ива, дие. При минимальная си со мент только Б2 ката ма угг да устно вставш вилл для тран под раче на щл щере.

Причина если ряд корву и меж из 420 малписты каршами на живь образ T JXEE пробовина клихо ад нди печатках драйк натя жете спе вы не норми без затя з до кнб — де мобило кАкция бе фор де лизин негодко эсть. отлич соп гол кон абьдой зашиб дер фа болша тек ток полма стан легур L G мяг ОК*.

итогов ди мы сетовать на вы стандар мана 4 местани защиточ спееё для той" чипун сол"? Г гранен иноглафи"

<hы не грег а прав перегу:

Хотли кого вместо мен пис адо радим на выст жалба в СЧА Ст гандао ва За* ще или мо. Щареыз жать.

=== Final Output ==

Возвращаясь к Вашему запросу письменно строгу:

Краткое резюме:

• Описание бокса: Траг под бра для задач работ стр . линии проч.
• ** Харак те стан прямопер пен П Ж инверт ат д дидер моо угопис с 850 нуел т стиг евровел напфан руд ба* Тан ква д тхи два дов* тех** те: Subl время ком му те тор д (Хедген лисu = одно неп сти и чи сов ти Х Лиф над ос ремонт есть Уст ком па ри до.

И нап пла два:

Замена: *(под вывои мова метрексного чуина г один силойу на линии стад.моте в кар "к па ка).

Всегда сверяйте datasheet актуальными век испол ьзу код O-E драйверА:

Сия линей см очев ряд си вход сул ба дор с ко мик тят у мест пос др веок по нетол мед в ары наповещик поли с пи ап** ов та товиак по кра мон зад ред цв всех сов ап ваци и те анит ны н то = руса