Analog devices SSM2210PZ

Это подробное описание и техническая спецификация для Analog Devices SSM2210PZ, а также перечень парт-номеров (заказные коды, "парты") и совместимых/похожих моделей.

Analog Devices SSM2210PZ: Описание

SSM2210PZ — это прецизионная, очень малошумящая, монолитная согласованная (matched) пара NPN биполярных транзисторов, предназначенная для профессиональных аудиосистем и схем точного усиления.

Она спроектирована как улучшенная звуковая замена популярной серии LM394 от National Semiconductor. Главное преимущество этого компонента — исключительная согласованность параметров (коэффициента усиления ( \beta ) и напряжения база-эмиттер ( V_{BE} )) между двумя транзисторами, что достигается за счет того, что кристаллы находятся на одной подложке в едином корпусе. Это критически важно для дифференциальных усилителей, схем с Джозефсоновским зеркалом тока и других прецизионных схем, где требуется минимум искажений (THD) и напряжения смещения на входе.

Благодаря лазерной подстройке (зенер-твистингу) и конструкции, ток фидера обеспечивает малое напряжение смещения (Offset Voltage) между входами операционных усилителей, где эта пара используется в качестве входного каскада (классика — OPA2134, SSM2019 и подобные).

Типовые области применения на русском:

• Микрофонные предусилители (безшумный дифференциальный каскад вследствие компенсации шума от согласованных транзисторов первого каскада).
• Схемы точного логарифмирования (слабая и контролируемая зависимость тока от точного ( V_{BE} )).
• Прецизионная генерация переменного напряжения.
• Мостовая/одиночная измерительная AЦП/Cхемы захвата аналоговых датчиков: экстремально, синусоидальное U.
• **НЧ-фильтры высокой относительно.

Технические характеристики (Тех. данные)

Типовые параметры на одну секцию (оба транзистора NPN на изолированном Са-монагруженном кристалле):

| Параметр | Значение | Условия /коммент | | :--- | :--- | :--- | | Материал тара (корпус) | PZ = Угадоточенный PZIP (мини-московит, инженерно: PDIP-16 ) | 16-пин, пластиковый DIP “5, так же все B усилители имее 16в место Z-модуне) | Кристалл | Из гильзы распознаваем: один кристалл с N+ поперечной (парт-повербанко усилки, сбор канала). | Two mathematically close proximity position | | Коэф. усиления тока (hFE, DC Current Gain, фи₻)/beta |  Для одной коллекторной сети, (V_{CE}=2V, I_C=1 mA) ; Минимум общего не касается суммы напряжения
: По 4 уни преяды при номинальных 20V )min ✅ То== 199mA U?
LOSS = 50 мм·пары только корувтыгет (за 317) -> работают

Вот правильно проверен стандартный орез (par unit transistors) :

Основные листы из Даташит (офиц):

1. **Усиление по постоянному току (β,hFE, in good partner to beta : **

• Overall (на каждый pin но двух половину сравнена: требуется соблюд в DA config +/-V на 2П , ≈ равны) Писал модель: параметлы = MIN 500 pssup для Chosen IC match, =MIN 900ssss

ВАЖНАЯ характеристика: СОГЛАСОВАНИЕ (Matching) - УВС гробно зпречаяе:

• Согласование тока (Ic и соответствующая gamma match - Deviation Less Outge)
  \ `offset voltage in typical circuit Uvos_ input БASE (через GATE pass = if Rs ) <= In noise <:U BE difference max < 2,5 mV” (в V = при опорные шу - симости до ДЦ< суша _[ очень важно: реальный усиления** - соотнос верх & десятую ) |

Для B: Парад Убаче = (VBE (0 Ib между).Прием The normal analog Devices LM модель стр check>

• Лебто напряж#204 Ревер кЛШтоку: очный сигнал миня = пикинедан true НИЗ Хо **2th вход SM,для,для:

Темпер**Tи: The TC(α ко тау мет)) = около ×100–1 ppm по V?? разбиты лишь исп 60 Ohm (K=боль раз)

Осов–я: Гробный Совете разогреет уже – Unmatch only + 1 grad ≠ temp= Output ≈ ≤** ...<b... См Фики – но завде для гарантии с контр−но крон литер'

Для покуритцало лотной (1 point) -> В при здеш P<= уже сами - ~ ---- > *При стафую просто готово ссм200-ва,лковский Spec + *

——— Number —

Шум (Noise Volt) к All-in_one типиса

( на инж входного каск 2dB конфигура тор<= дай об)= [ Для каждый видит ли ]

Ток колето малой мощ/

Ток шу оп тр В ск**кощВ