IGBT 128699

Описание IGBT 128699

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 128699 — это мощный полупроводниковый прибор, используемый в силовой электронике для коммутации высоких токов и напряжений. Он сочетает преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с диодом обратного хода |
| Макс. напряжение (V_CES) | 600 В / 1200 В (уточнить по datasheet) |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50–200 А (зависит от модификации) |
| Макс. импульсный ток | До 300 А (кратковременно) |
| Рассеиваемая мощность | 200–400 Вт (с радиатором) |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (стандартно ±15 В для управления) |
| Время включения/выключения | 50–200 нс |
| Температура корпуса | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247, TO-264 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Infineon:
   • IKW50N60T
   • IKW75N65EH5
2. Fairchild / ON Semiconductor:
   • FGA50N65SMD
   • HGTG20N60A4D
3. STMicroelectronics:
   • STGW40H120DF2
   • STGW30NC120HD
4. Mitsubishi:
   • CM600HA-24A
   • CM400HA-28H

Совместимые модели в приложениях:

• Преобразователи частоты:
  • Siemens SINAMICS (серии G, S)
  • ABB ACS550, ACS880
  • Danfoss VLT Micro Drive
• Сварочные аппараты:
  • Kemppi, Fronius, ESAB

Примечания:

• Перед заменой уточните параметры (напряжение, ток, корпус) в datasheet конкретного производителя.
• Для точного подбора аналога используйте кросс-ссылки на сайтах Octopart, Digi-Key, Mouser.

Если нужен datasheet или уточнение по конкретному производителю — сообщите!