IGBT 02NEB066V3

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 02NEB066V3

Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль с диодом обратного хода (антипараллельным диодом)
Производитель: вероятно, IXYS (или другой бренд, если уточнить)
Применение: преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, сварочное оборудование, UPS и др.

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): зависит от условий охлаждения (например, 75 А при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 150 А (уточняется по даташиту)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300–400 Вт (зависит от охлаждения)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (стандартное для IGBT)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8–2,5 В
• Время переключения (t_on/t_off): ~50–100 нс
• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, NEB)
• Температура хранения/эксплуатации: -40°C…+150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• 02NEB066V3 (возможно, IXYS или другой производитель)
• FS75R06KE3 (Infineon)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• SKM75GB066D (Semikron)
• MG75Q6ES40 (Toshiba)

Примечание: Совместимость зависит от электрических параметров и корпуса. Рекомендуется проверять распиновку и характеристики в даташите.

Где используется?

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если нужны точные данные, укажите производителя или прикрепите даташит.