IGBT 03NAC066V3

Описание IGBT модуля 03NAC066V3

03NAC066V3 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства STMicroelectronics, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Входная емкость (C_ies) | 5,6 нФ |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Диапазон рабочих температур | -40°C…+150°C |
| Корпус | 62 мм (стандартный модуль с изолированным основанием) |
| Тип модуля | IGBT + диод (встроенный обратный диод) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера STMicroelectronics:

• 03NAC066V3 (основной номер)
• STGIA75NC60VD (альтернативное обозначение)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IGBT75N60T (аналог по характеристикам)
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Системы управления мощностью
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или datasheet, уточните параметры вашей схемы.