IGBT 03NAC12T4V1

Описание IGBT модуля 03NAC12T4V1

Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (NPT-IGBT)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.
Корпус: Стандартный модуль с изолированным основанием (например, 62 мм).

Технические характеристики

1. Напряжения:

   • Коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
   • Импульсное напряжение (V_CE peak): до 1320 В
   • Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В

2. Токи:

   • Коллекторный ток (I_C при 25°C): 40 А
   • Коллекторный ток (I_C при 80°C): 24 А
   • Ток короткого замыкания (I_SC): 80 А

3. Мощность и тепловые параметры:

   • Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
   • Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.35 °C/Вт
   • Рабочая температура: -40°C … +150°C

4. Диод обратного восстановления:

   • Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
   • Прямой ток (I_F): 40 А

5. Временные параметры:

   • Время включения (t_on): 70 нс
   • Время выключения (t_off): 350 нс

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• STMicroelectronics: STGW40NC120V1
• Infineon: IKW40N120T2
• Fuji Electric: 2MBI40N-120
• Mitsubishi: CM40DY-12S

Совместимые модели в линейке:

• 03NAC12T4V2 (аналог с улучшенными параметрами)
• 03NAC12T4V3 (версия с повышенным током)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в корпусе или параметрах.
• Рекомендуется использовать оригинальные или сертифицированные аналоги для критичных применений.

Если требуется уточнение по конкретному производителю или схеме подключения, укажите дополнительные детали.