IGBT 04NAD12V1

Описание IGBT 04NAD12V1

IGBT 04NAD12V1 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая преобразователи частоты, инверторы, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Этот модуль сочетает в себе высокую переключательную способность и низкие потери проводимости, что делает его пригодным для работы в условиях высоких напряжений и токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|-----------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (полумост) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 8 A (при 25°C) / 4 A (при 100°C) |
| Ток импульса (I_CM) | 16 A |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 40 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 320 нс (тип.) |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• 04NAD12V1 (возможны варианты маркировки в зависимости от производителя).

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG8N120CND (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA8N120ANTD (ON Semiconductor)
• STGW40NC120V (STMicroelectronics)
• IXGH8N120B (IXYS/Littelfuse)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы (солнечные, промышленные)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров, особенно V_CES, I_C и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или схемам применения? Уточните детали!