IGBT 0F70SC100D

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 0F70SC100D
Описание и технические характеристики IGBT-модуля 0F70SC100D
Описание:
IGBT-модуль 0F70SC100D – это высоковольтный силовой транзистор с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.
Технические характеристики:
| Параметр | Значение | |----------|----------| | Производитель | Fuji Electric (Mitsubishi Electric или другой, уточните бренд) | | Тип модуля | IGBT с диодом (NPT/PT-IGBT, в зависимости от версии) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1000 В | | Номинальный ток (IC) | 70 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (ICP) | 140 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25–0.5 °C/Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50–100 нс | | Время выключения (toff) | ~200–400 нс | | Корпус | Стандартный изолированный (например, 62 мм) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C (Tj) |
Парт-номера и совместимые модели:
Аналогичные модули других производителей:
- Infineon: FF100R12KT4, FF75R12KT3
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
- IXYS: IXGH75N100A
Совместимые модели (в зависимости от версии и бренда):
- Fuji Electric: 2MBI100S-120, 2MBI75S-120
- Mitsubishi Electric: CM100DY-12NF
Примечание:
Перед заменой модуля необходимо уточнить распиновку и характеристики, так как разные производители могут использовать отличные параметры управления и конструктивные особенности.
Если у вас есть уточнения по производителю или другие требования, сообщите – я скорректирую данные.