IGBT 0-FGL60N100

Описание IGBT 0-FGL60N100

Модель: 0-FGL60N100 (FGL60N100)
Тип: IGBT-транзистор с диодом обратного восстановления (NPT, Non-Punch Through)
Производитель: Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)

Этот IGBT предназначен для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как инверторы, сварочное оборудование, электроприводы, импульсные источники питания и промышленные системы управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А | | Пиковый ток (I_CM) | 120 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 60 А) | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Время включения (t_d(on)) | 35 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 180 нс | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Диод обратного восстановления | Встроенный (Fast Recovery Diode) |

Альтернативные и совместимые модели

Парт-номера (аналоги от других производителей):

• Infineon: IKW60N100T6
• STMicroelectronics: STGW60N100SHD
• IXYS: IXGH60N100
• Toshiba: GT60N100

Совместимые модели (похожие характеристики):

• FGA60N100
• FGH60N100
• IRG4PC50U (600 В, но схожий ток)
• HGTG30N60A4 (600 В, но с улучшенными динамическими параметрами)

Примечания

• Рекомендуется использовать с драйверами IGBT (например, IR2110, FAN73832) для оптимального управления.
• Требуется хороший теплоотвод из-за высокой мощности рассеивания.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!