IGBT 106/12E

Описание IGBT 106/12E

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 106/12E – это высоковольтный силовой транзистор, предназначенный для управления большими токами в импульсных и инверторных схемах. Применяется в промышленных преобразователях частоты, сварочных инверторах, системах управления электроприводами и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT-транзистор с диодом | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 106 А | | Ток в импульсе (I_CM) | до 212 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~300–400 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0–2,5 В | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50–100 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• Infineon: IGW75N120H3, IGW100N120H3 (аналоги по характеристикам)
• Fuji Electric: 2MBI100N-120
• Mitsubishi: CM100DY-12H

Совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A)
• HGTG30N120B3D (Fairchild/Renesas, 1200V, 60A)
• IXGH100N120B3 (IXYS, 1200V, 100A)

Примечания:

1. Замена: При выборе аналога учитывайте не только напряжение и ток, но и параметры управляющего затвора (V_GE, Q_g).
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать радиатор с термопастой для эффективного отвода тепла.
3. Производители: Основные поставщики IGBT-модулей – Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, Fuji Electric.

Если нужны дополнительные параметры (например, параметры диода, графики зависимостей), уточните – предоставлю детализированные данные.