IGBT 10ATO-263

IGBT 10ATO-263: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 10ATO-263 – это мощный транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в:

• Инверторах и импульсных источниках питания
• Управлении электродвигателями
• Системах силовой электроники (например, сварочные аппараты, драйверы)

Ключевые характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или другое, уточните) |
| Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 20 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 50–100 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,5–2,0 В (при 10 А) |
| Время включения (t_on) | ~30–50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~100–150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

(Точные параметры зависят от производителя и модификации, уточняйте в даташите.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены

• IRG4BC10UD (International Rectifier, 600V, 10A, TO-263)
• FGA10N60 (Fairchild/ON Semi, 600V, 10A, TO-263)
• STGP10NC60HD (STMicroelectronics, 600V, 10A, TO-263)
• HGTG10N60A4D (Renesas, 600V, 10A, TO-263)

Совместимые корпуса и серии

• TO-247 (если требуется большая мощность)
• TO-220 (для менее мощных решений)
• IPM-модули с аналогичными параметрами (например, Mitsubishi CM10TY)

Примечание

Рекомендуется проверять даташит производителя перед заменой, так как характеристики могут отличаться в зависимости от серии и производителя.

Если вам нужны точные параметры для конкретной модели (например, 10ATO-263 от Infineon, ST или другой фирмы), уточните производителя — я помогу найти полные данные.