IGBT 10n120bnd

Описание IGBT 10N120BND

10N120BND — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 10 А. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах и системах управления двигателями.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение и высокая устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный обратный диод (антипараллельный).
• Корпус TO-263 (D2PAK), обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 20 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при 10 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 48 Вт |
| Время включения (t_on) | ~55 нс |
| Время выключения (t_off) | ~320 нс |
| Корпус | TO-263 (D2PAK) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG10N120BN (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• 10N120B (аналог без встроенного диода)
• STGW20NC120HD (STMicroelectronics, 20 А)
• IXGH10N120 (IXYS, аналогичные параметры)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Если нужна замена, рекомендуется проверять разводку платы и рабочие параметры (особенно V_CE и I_C). Для точного аналога лучше использовать IRG4PC50UD или FGA15N120ANTD.