IGBT 11AC126V10

IGBT 11AC126V10 – Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT 11AC126V10 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением (IGBT), предназначенный для эффективного управления высокими напряжениями и токами. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | IGBT (N-канальный) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 11 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 22 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 60 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 11 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 110 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |

Парт-номера и совместимые аналоги

• Прямые аналоги:
  • IRG4PC50UD (International Rectifier)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG11N120CND (STMicroelectronics)
  • IXGH11N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• Совместимые модели (по характеристикам):
  • 11AC126V10 (возможны вариации в зависимости от производителя)
  • NGTB25N120FL2WG (ON Semiconductor)
  • APT50GR120J (Microsemi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet, так как параметры могут незначительно отличаться в зависимости от производителя.