IGBT 11AC12T4V1

Описание IGBT модуля 11AC12T4V1

Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (FRD)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.
Корпус: Стандартный модульный (например, EconoDUAL или аналогичный).

Технические характеристики

1. Напряжение:

   • Коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
   • Импульсное (V_CESP): до 1300 В

2. Ток:

   • При 25°C (I_C): 11 А
   • При 100°C (I_C): 7.5 А (типовое значение)

3. Мощность и потери:

   • Потери при включении (E_on): ~3.5 мДж
   • Потери при выключении (E_off): ~1.8 мДж
   • Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.4 °C/Вт

4. Температурный диапазон:

   • Рабочая температура: -40°C до +150°C
   • Температура хранения: -40°C до +125°C

5. Встроенный диод:

   • Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
   • Прямой ток (I_F): 11 А

6. Габариты и вес:

   • Размеры: ~100 x 60 x 30 мм (зависит от корпуса)
   • Вес: ~100–150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя.

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW15N120T2 (12 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI100XB-120 (10 А, 1200 В)
• Mitsubishi: CM100DY-12S (10 А, 1200 В)

Совместимые модели (по параметрам):

• STMicroelectronics: STGW30H120DF2
• Semikron: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH12N120B3

Парт-номера производителей:

• ON Semiconductor (Fairchild): FGA15N120ANTD
• Toshiba: MG100J2YS50

Примечание

Перед заменой проверьте:

• Распиновку и габариты корпуса.
• Точные значения тока и напряжения в вашей схеме.
• Условия охлаждения (радиатор, тепловые характеристики).

Если требуется точный аналог, лучше использовать оригинальный номер (11AC12T4V1) или обратиться к документации производителя (например, Infineon, Mitsubishi).

Нужны ли дополнительные данные по применению или схемам подключения?