IGBT 11NAB06

Описание и технические характеристики IGBT 11NAB06

IGBT 11NAB06 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой стойкостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 11 А | | Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 22 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 50 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 11 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-220 (возможны вариации) | | Тип затвора | N-канальный |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4BC20UD (International Rectifier)
• FGA11N60 (Fairchild Semiconductor)
• STGP11NC60KD (STMicroelectronics)
• HGTG11N60A4D (ON Semiconductor)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IRG4PC50UD (600 В, 14 А)
• FGA15N60 (600 В, 15 А)
• STGB10NC60KD (600 В, 10 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя.