IGBT 11NAB065V1

Описание IGBT 11NAB065V1

IGBT 11NAB065V1 – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах, промышленных приводах и системах электропитания. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и защитой от перегрузок.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В | | Номинальный ток (I_C) | 11 А | | Пиковый ток (I_CM) | 22 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 50 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Температура хранения (T_stg) | -40...+150 °C | | Температура перехода (T_j) | до 150 °C | | Корпус | модульный (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• 11NAB065V1 (оригинал)
• 11NAB065V1XKSA1 (альтернативное обозначение)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF11MR12W1M1_B11
• STMicroelectronics: STGW11NC60WD
• Mitsubishi: CM11DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100N-065

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы
• Сварочные аппараты

Если вам нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос.