IGBT 11NAB126V

IGBT 11NAB126V
Артикул: 294450

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 11NAB126V

Описание IGBT 11NAB126V

IGBT 11NAB126V – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

  • Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
  • Надежная конструкция с защитой от перегрузок и перегрева.
  • Подходит для высокочастотных схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 11 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 22 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 50 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | ~0.5 Ом | | Время включения (ton) | ~30 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналог) |


Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

  • Infineon: IKW15N120H3, IKW20N120H3
  • STMicroelectronics: STGW30NC120HD
  • Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
  • Mitsubishi: CM100DY-24H

Похожие по характеристикам:

  • IR (Infineon): IRG4PC50UD
  • ON Semiconductor: FGH40N60SFD
  • Toshiba: GT20Q101

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять параметры VCES, IC и корпус.


Применение

  • Преобразователи частоты (ЧРП)
  • Инверторы и UPS
  • Сварочные аппараты
  • Управление электродвигателями

Если нужна дополнительная информация (графики, datasheet), уточните!

Товары из этой же категории