IGBT 11NAB126V1

Описание IGBT 11NAB126V1

IGBT 11NAB126V1 – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую тепловую стабильность. Корпус обеспечивает электрическую изоляцию и эффективный теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост/другая конфигурация) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 11 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 22 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~100–150 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс диапазон (уточнять в даташите) | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C (T_j) | | Корпус | Изолированный (например, NAB) | | Входная емкость (C_ies) | Уточнять в даташите | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,5–1,0 °C/Вт |

Примечание: Точные параметры могут отличаться – рекомендуется проверять официальный даташит.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKQ75N120CS6 (аналог по параметрам)
• Fuji Electric: 2MBI100XB-120 (возможная замена с проверкой распиновки)
• Mitsubishi: CM75DY-12H (аналогичный модуль)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Парт-номера этого семейства:

• 11NAB126V1 (оригинальный номер)
• 11NAB126V1-XXX (модификации с разными суффиксами)

Применение

• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы

Если вам нужен точный даташит, уточните производителя (например, Fuji, Mitsubishi, Infineon), так как номенклатура может отличаться. Некоторые параметры требуют проверки в документации конкретного бренда.