IGBT 11NAC063IT

Описание IGBT 11NAC063IT

IGBT 11NAC063IT – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 11 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 22 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 40 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Тип корпуса | TO-247 (3-выводной) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей

• Infineon: IKW15N60T, IKW20N60T
• STMicroelectronics: STGW20NC60V, STGW30NC60V
• Fuji Electric: 2MBI100N-060
• Mitsubishi: CM600DY-24A

Полные аналоги (cross-reference)

• IRG4PC50U (International Rectifier)
• HGTG11N60A4 (ON Semiconductor)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semi)

Данный IGBT может использоваться в схемах, где требуется высокая эффективность и надежность, например в:

• Инверторах для солнечных батарей
• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Приводах электродвигателей (частотные преобразователи)

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташит на соответствие параметрам вашей схемы.