IGBT 11NAC063IT42

Описание IGBT 11NAC063IT42

IGBT 11NAC063IT42 – это изолированный силовой транзистор с биполярным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях и других силовых электронных системах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для промышленных и автомобильных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 11 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 7 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 22 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 48 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,5–6,5 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 100 нс (тип.) |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 600 В |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 (3 контакта) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полное совпадение параметров):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Близкие аналоги (схожие характеристики, возможны отличия в токе/напряжении):

• IXGH10N60B (IXYS/Littelfuse)
• HGTG11N60C3D (Microsemi)
• APT60GF60B2G (Microchip)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!