IGBT 11NEB063T15

Описание IGBT 11NEB063T15

IGBT 11NEB063T15 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы электропитания. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный обратный диод (FRD).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 15 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 11 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 30 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 75 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.55 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 110 нс
• Встроенный диод (FRD): Да
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: TO-247

Тепловые параметры:

• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0.83 °C/Вт
• Термическое сопротивление (R_th(j-a)): 62.5 °C/Вт

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• IRGB15B60PD1 (International Rectifier)
• FGA15N60ANTU (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60A4D (Microsemi)

Совместимые модели (схожие параметры):

• 11NEB063T15 (аналог в других сериях)
• IXGH15N60B3D1 (IXYS)
• APT15GN60JDQ3 (Microsemi)
• NGTB15N60FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики характеристик или datasheet), уточните!