IGBT 11NEB063T22

Описание IGBT 11NEB063T22

IGBT 11NEB063T22 — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, частотных приводов, инверторов и других силовых электронных устройств. Он относится к серии NXH, разработанной для работы в условиях высоких напряжений и токов, обеспечивая низкие потери проводимости и переключения.

Ключевые особенности:

• Высокая надежность и эффективность
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и малые динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод
• Высокая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Производитель | ON Semiconductor (входит в состав onsemi) | | Тип | IGBT + диод (Co-Pack) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 22 А (при 100°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | 44 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 22 А) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 160 Вт (при T_c = 25°C) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• 11NEB063T22 (оригинал ON Semiconductor)
• FGA22N60 (Fairchild/onsemi, аналогичные параметры)
• IRG4PC50UD (Infineon, 600 В, 23 А)
• STGW22NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 22 А)

Совместимые модели (похожие характеристики):

• HGTG22N60B3D (600 В, 22 А, TO-247)
• IXGH22N60B (IXYS, 600 В, 22 А)
• APT22GN60J (Microsemi, 600 В, 22 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и сервосистемы
• Силовая электроника промышленного назначения

Если требуется уточнение по замене или дополнительным аналогам, укажите условия эксплуатации (нагрузки, охлаждение и т. д.).