IGBT 11NEC063T1

Описание IGBT 11NEC063T1

11NEC063T1 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных и высокоэффективных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, электроприводы и промышленные системы управления.

Этот компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой устойчивостью к перегрузкам и надежностью в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 11 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 22 А (импульсный) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,0–6,0 В |
| Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Диод обратного восстановления (FRD) | Встроенный быстрый диод |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG11N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Близкие по характеристикам:

• 11NEC063T2 (модификация с улучшенными динамическими параметрами)
• 11NEC083T1 (аналог с током 18 А)
• IXGH11N60B3D1 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Индукционные нагреватели
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet и сравнивать ключевые параметры: V_CES, I_C, V_GE, скорость переключения.