IGBT 12KE3G

IGBT 12KE3G
Артикул: 294476

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 12KE3G

IGBT 12KE3G – Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT 12KE3G – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 24 A | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 12 A | | Импульсный ток (ICM) | 48 A | | Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 200 нс | | Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги:

  • Прямые аналоги:

    • IXGH24N120 (IXYS)
    • IRG4PH40UD (Infineon)
    • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • Совместимые модели (схожие параметры):

    • HGTG20N120BND (Microsemi)
    • STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Применение:

  • Инверторы и преобразователи частоты
  • Сварочные аппараты
  • Импульсные блоки питания
  • Управление электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения, уточните запрос!

Товары из этой же категории