IGBT 12KE3G

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 12KE3G
IGBT 12KE3G – Описание и технические характеристики
Описание:
IGBT 12KE3G – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 24 A | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 12 A | | Импульсный ток (ICM) | 48 A | | Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 200 нс | | Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 |
Парт-номера и аналоги:
-
Прямые аналоги:
- IXGH24N120 (IXYS)
- IRG4PH40UD (Infineon)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
-
Совместимые модели (схожие параметры):
- HGTG20N120BND (Microsemi)
- STGW30NC120HD (STMicroelectronics)
Применение:
- Инверторы и преобразователи частоты
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания
- Управление электродвигателями
Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения, уточните запрос!