IGBT 12N60A4D

Описание IGBT 12N60A4D

IGBT 12N60A4D – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах. Обладает низкими потерями проводимости и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 12 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 6 А (макс.) | | Мощность рассеяния (P_D) | 48 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.55 В (при I_C = 12 А) | | Время включения (t_on) | 25 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Корпус | TO-252 (DPAK) или аналогичный | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• IRG4BC20KD (International Rectifier)
• FGA12N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGP12NC60KD (STMicroelectronics)
• HGTG12N60A4D (Infineon)
• IXGH12N60B (IXYS)

Близкие по параметрам (проверять распиновку!):

• 10N60, 15N60 (если допустимы отклонения по току)
• IRGP4063DPbF (600 В, 24 А, но в другом корпусе)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты, особенно по параметрам V_CE(sat) и переходным характеристикам.