IGBT 12NAB066V1

Описание IGBT 12NAB066V1

IGBT 12NAB066V1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (1200 В в некоторых модификациях) | | Ток коллектора (I_C) | 12 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | ~8 А (при 100°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 24 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~50 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое ±15 В) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~0.066 Ом (при 12 А) | | Время включения (t_d(on)) | ~20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~100 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги:

• 12NAB066V1 (Infineon / IR)
• IRG4BC20UD (International Rectifier)
• IRG4BC20U (устаревший аналог)

Совместимые замены (проверьте распиновку!):

• FGA12N60 (Fairchild / ON Semiconductor)
• STGW12NC60KD (STMicroelectronics)
• HGTG12N60A4D (Renesas)
• IXGH12N60B (IXYS)

Парт-номера производителей:

• Infineon: IRG4BC20UD
• ON Semiconductor: HGTG12N60A4D
• STMicroelectronics: STGW12NC60KD

Применение

• Преобразователи частоты (например, в станках и насосах)
• Инверторы для солнечных электростанций
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой уточняйте распиновку и характеристики, так как модули разных производителей могут иметь отличия в параметрах корпуса и электрических характеристиках.

Если вам нужны более точные данные, укажите производителя или уточните сферу применения.