IGBT 12NAB126V1

Описание IGBT модуля 12NAB126V1

IGBT 12NAB126V1 – это высоковольтный силовой модуль, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления мощностью. Он сочетает в себе биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и антипараллельный диод, что обеспечивает эффективное переключение больших токов и напряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 12 А | | Ток коллектора (пиковый) | 24 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,1 В (при 12 А) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Корпус | Стандартный модульный (N-канал) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,75 K/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера и аналоги от других производителей:

• Infineon: IKQ120N120T6 (аналог по характеристикам)
• Fuji Electric: 2MBI120N-120
• Mitsubishi: CM1200DY-24NF
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (схожий по параметрам)

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• 12NAB126V1 может заменяться на 12NAB126V2 (модернизированная версия)
• 12NA126V1 (упрощенная версия без диода)
• 12NAB125V1 (аналогичный модуль с близкими параметрами)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять параметры и распиновку. Для высоконагруженных систем лучше использовать оригинальные модули или проверенные аналоги.