IGBT 12NAB12T4V1

Описание IGBT 12NAB12T4V1

IGBT 12NAB12T4V1 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе высокую эффективность переключения и низкие потери проводимости, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями.

Этот модуль имеет встроенный антипараллельный диод (FWD), обеспечивающий защиту от обратных токов. Конструкция корпуса обеспечивает хорошие тепловые характеристики и механическую прочность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с антипараллельным диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 12 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 24 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 75 Вт (в зависимости от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,8 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW12N120H3, IKW15N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH12N120L, FGH12N120S
• STMicroelectronics: STGW12NC120HD
• Mitsubishi: CM12DY-12H
• Toshiba: GT12J101

Совместимые модули в схемах:

• Полумостовые модули: 12NAB12T4 (аналогичный вариант в другом корпусе)
• Драйверы: IR2110, IRS2186 (для управления)

Применение

• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам включения, уточните детали.