IGBT 132-14

Описание IGBT-модуля 132-14

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 132-14 — это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как промышленные инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электроприводами. Модуль объединяет IGBT-транзисторы и диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Основные технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (Half-Bridge, Full-Bridge или другой конфигурации)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В / 1400 В (в зависимости от модификации)
• Номинальный ток (I_C): ~100–300 А (зависит от версии)
• Ток короткого замыкания (I_SC): Уточняется по datasheet
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): нс/мкс диапазон
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.1–0.3 °C/Вт
• Корпус: Стандартный модульный (например, 62мм или 34мм)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C (зависит от производителя)

Парт-номера и аналоги

В зависимости от производителя, модуль может иметь разные обозначения:

• Infineon: FF300R12KE3, FZ3600R12KE3
• Mitsubishi: CM300DY-12NF, CM300DY-24NF
• Fuji: 2MBI300U4A-140, 2MBI300U4B-140
• SEMIKRON: SKM300GB12T4, SKM300GB12D
• Powerex (Mitsubishi): CM300HA-12H

Совместимые модели

• Аналоги по напряжению и току:
  • 132-12 (1200 В)
  • 132-24 (2400 В)
• В других сериях:
  • Infineon IKW40N120T2 (дискретные аналоги)
  • Mitsubishi NF-серия (CM300DY-12NF)

Примечание

Для точных характеристик и замены необходимо проверять datasheet конкретного производителя, так как обозначение 132-14 может быть внутренним кодом поставщика. Рекомендуется уточнять параметры по маркировке на корпусе модуля.

Если вам нужны точные данные, укажите производителя или фото модуля.