IGBT 13AC126V1

Описание IGBT модуля 13AC126V1

13AC126V1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, системах управления электроприводами, инверторах и импульсных источниках питания. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и надежное подключение.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (с диодом обратной связи) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт (с радиатором) | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое: +15 В / -5…-15 В) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~80 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | Стандартный модульный (например, 17-выводный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF25R12RT4, FF50R12RT4 (с повышенным током)
• Mitsubishi: CM25DY-12S, CM50DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI25N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели (похожие параметры):

• 13AC126V2 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)
• 13AC126V3 (версия с оптимизированным тепловыделением)

Применение

• Промышленные преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется уточнять параметры схемы и условия эксплуатации. Некоторые аналоги могут отличаться по корпусу или характеристикам управления.

Нужны ли дополнительные данные?