IGBT 13NAB065V1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 13NAB065V1
Описание IGBT модуля 13NAB065V1
13NAB065V1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba, предназначенный для мощных преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и промышленные системы управления электродвигателями.
Модуль построен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и эффективность в условиях высоких напряжений и токов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 650 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 130 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 65 А | | Импульсный ток (ICM) | 260 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (ton) | 60 нс | | Время выключения (toff) | 320 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | 6-контактный модуль (например, Toshiba MG12100H-XSS1) | | Тип монтажа | Винтовой | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги и замены:
- Toshiba MG12100H-XSS1 (близкий по параметрам модуль)
- Infineon FF100R12KT4 (аналог с похожими характеристиками)
- Fuji Electric 2MBI100XAA065-50
- Mitsubishi CM100DY-24A (устаревший, но возможный вариант)
Совместимые модели в схемах:
Модуль 13NAB065V1 может использоваться в качестве замены в следующих устройствах:
- Частотные преобразователи Toshiba VF-S11, VF-S9
- Сварочные инверторы Kempii, Fubag
- Промышленные приводы Yaskawa, Omron
Примечания по замене
- При замене на другой модуль важно учитывать распиновку, тепловые характеристики и параметры драйвера.
- Рекомендуется проверять напряжение и токовую нагрузку в конкретном устройстве.
Если вам нужны дополнительные аналоги или схемы подключения, уточните область применения.