IGBT 13NAB066V1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 13NAB066V1
Описание IGBT модуля 13NAB066V1
IGBT 13NAB066V1 – это высоковольтный силовой модуль, используемый в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах управления электродвигателями. Модуль выполнен по технологии IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) и включает в себя диоды обратного тока (FRD).
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (Ic @25°C) | 75 А |
| Макс. импульсный ток (Icm) | 150 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | ~250 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)) | ~1,8 В |
| Время включения/выключения (ton/toff) | н/д (уточняется по даташиту) |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C ... +150°C |
| Корпус | 17-выводной (стандартный для модулей) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные замены:
- 13NAB066V1 (оригинал)
- CM75DY-12H (Mitsubishi)
- SKM75GB066D (Semikron)
- FS75R06KE3 (Infineon)
Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):
- MG75Q6ES40 (Toshiba)
- BSM75GB120DN2 (Eupec/Infineon)
Применение и совместимость
Модуль 13NAB066V1 может использоваться в:
- Промышленных частотных преобразователях
- Сварочных инверторах
- Установках плавного пуска двигателей
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
Внимание! Перед заменой необходимо уточнить распиновку, тепловые характеристики и вольт-амперные параметры, так как даже похожие модули могут отличаться по характеристикам.
Если вам нужен точный datasheet, укажите производителя – возможно, это модуль от Mitsubishi, Infineon или Semikron.