IGBT 13NEB066V1

Описание IGBT модуля 13NEB066V1

13NEB066V1 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП). Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и изолированным корпусом для удобства монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 13 А | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 26 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 52 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 100 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Напряжение прямого падения диода (V_F) | 1,5 В (тип.) | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,25 °C/Вт | | Корпус | NEB (изолированный) | | Количество ключей | 1 (одиночный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут включать модули с похожими характеристиками:

• 13NEB066V1 (оригинал)
• FGA13N60 (Fairchild, близкие параметры)
• IRG4BC30UD (International Rectifier)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG13N60A4D (ON Semiconductor)

Для точной замены рекомендуется проверять спецификации, особенно параметры V_CES, I_C и корпус.

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• ИБП и сварочное оборудование
• Промышленные системы питания

Если требуется уточнение по конкретному аналогу, укажите условия работы (нагрузка, охлаждение).