IGBT 13NEL063

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 13NEL063
Описание IGBT модуля 13NEL063
13NEL063 – это IGBT-модуль третьего поколения (NPT, Non-Punch Through) с диодом обратного хода (антипараллельный диод), предназначенный для применения в инверторах, преобразователях частоты (ЧРП), системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом |
| Конфигурация | Одиночный (Single) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 50 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Напряжение открытия диода (VF) | 1.7 В (тип.) |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: IKW50N60T, IKW50N60H3
- Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N60SMD
- STMicroelectronics: STGW50NC60WD
- Toshiba: GT50J323
Совместимые модели в схожих корпусах:
- IR (Infineon): IRG4PC50UD
- Mitsubishi: CM50DY-24H
Применение
- Преобразователи частоты (ЧРП)
- Инверторы и UPS
- Управление двигателями
- Сварочные аппараты
- Солнечные инверторы
Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров, особенно по напряжению, току и корпусу.