IGBT 13NEL0631

Описание IGBT модуля 13NEL0631

13NEL0631 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 13 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 20 А (при 80°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 40 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,75 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 62 Вт |
| Встроенный диод | Да (Freewheeling Diode) |
| Корпус | 6-контактный (TO-247 или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA13N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW13NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG13N60B3D (ON Semiconductor)

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• IXGH13N60BD1 (IXYS)
• APT13GR60J (Microchip)
• SGL13N60RUFDTU (Infineon)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и характеристики в datasheet, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или применению – укажите дополнительные параметры (например, схему включения или тип нагрузки).