IGBT 14NEB066V1

Описание IGBT модуля 14NEB066V1

14NEB066V1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокомощных приложений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергетики

Модуль выполнен в стандартном корпусе NEB, обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря использованию технологии TrenchStop™.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 14 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 28 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 63 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 25 нс |
| Время выключения (t_off) | 125 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,5 К/Вт |
| Корпус | NEB (изолированный) |
| Вес | ~35 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon:
  • 14NEB066V1E (улучшенная версия)
  • 14NEB066V1-ND (версия для дистрибьюторов)
• Fairchild (ON Semiconductor):
  • FGA14N60
• STMicroelectronics:
  • STGW14NC60WD
• Mitsubishi:
  • CM14DY-12H

Совместимые модели в схемах:

• IRG4BC20U (International Rectifier, 600V, 14A)
• HGTG14N60A4D (Fairchild, 600V, 14A)
• FGH14N60SFD (ON Semi, 600V, 14A)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Тепловые характеристики
• Тип корпуса и расположение выводов

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя.

Нужна дополнительная информация по аналогам или применению? Готов помочь!