IGBT 161/08

Описание IGBT модуля 161/08

IGBT модуль 161/08 — это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных и инверторных схемах. Он широко применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Системах управления электродвигателями
• Сварочном оборудовании
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Модуль сочетает в себе биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и антипараллельный диод, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В |
| Номинальный ток (I_C) | 161 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 322 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный модуль (например, SEMiX, EconoPACK) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные парт-номера:

• Infineon: FF800R08IE4 (аналог)
• SEMIKRON: SKM800GA128D (аналог)
• Mitsubishi: CM800HA-24H (аналог)

Совместимые модели (зависит от корпуса и параметров):

• 161/12 (1200 В, 161 А)
• 161/16 (1600 В, 161 А)
• 200/08 (800 В, 200 А)
• SKM 200GB128D (SEMIKRON)
• FF800R12IE4 (Infineon, 1200 В)

Примечания:

1. Замена модуля должна проводиться с учетом:
   • Соответствия корпуса (механическая совместимость).
   • Напряжения и тока (не ниже оригинала).
   • Тепловых характеристик.
2. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты производителей (Infineon, SEMIKRON, Mitsubishi).

Если вам нужна более детальная информация по конкретному производителю или схеме подключения, уточните модель или корпус модуля.