IGBT 161/12E

Описание IGBT 161/12E

IGBT 161/12E – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах с высокими коммутационными нагрузками.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-транзистор |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный коллекторный ток (I_C) | 160 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 320 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 160 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 535 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны вариации) |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IKW75N120T2
  • Fuji Electric: 1MBH120D-160
  • Mitsubishi: CM160DY-12S
  • Semikron: SKM160GB12T4
• Совместимые модули (если IGBT 161/12E является частью модуля):
  • Eupec / Infineon: FF160R12KE3
  • Powerex: CM150DY-24H

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания

Если у вас есть дополнительные данные (например, производитель или фото маркировки), можно уточнить более точные аналоги.