IGBT 162/12E

Описание IGBT 162/12E

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 162/12E – это мощный полупроводниковый ключ, используемый в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокую эффективность переключения и устойчивость к перегрузкам, что делает его популярным в промышленных применениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 162 А |
| Ток импульсный (I_CM) | до 324 А |
| Мощность (P_tot) | ~500–600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C |
| Корпус | модульный (например, 62 мм или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера

• Eupec / Infineon: BSM162GD120DLC (возможный аналог)
• Siemens: возможен вариант с маркировкой SIEMENS IGBT 162/12E

Совместимые модели и аналоги

• IRG4PH50UD (Infineon, 1200V, 55A – менее мощный аналог)
• CM162DY-12H (Powerex / Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (Infineon, 200A – более мощный аналог)
• SKM162GB12T4 (Semikron)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧП)
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя. Для замены рекомендуется сверять datasheet и конфигурацию модуля. Если нужны конкретные datasheet или аналоги – уточните производителя оригинального модуля.