IGBT 19NC60KD

Описание IGBT 19NC60KD

IGBT 19NC60KD – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного переключения в силовых электронных устройствах. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для инверторов, импульсных источников питания, электроприводов и других приложений с высоким напряжением и током.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 19 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | до 38 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 19 А) | | Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт (при 25°C) | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Скорость переключения | высокая (оптимизирована для частот до 20–50 кГц) | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Встроенный диод | Быстрый антипараллельный диод (FRD) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA19N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG19N60B3D (Microsemi)
• STGW19NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• IXGH19N60BD1 (IXYS)
• APT19GP60B (Microchip)
• NGTB19N60FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и сервосистемы
• Импульсные блоки питания

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить схему включения и тепловые характеристики, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению — уточните!