IGBT 1DI100E-050

Описание модуля IGBT 1DI100E-050

1DI100E-050 – это IGBT-модуль, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и других устройствах управления мощностью. Модуль сочетает высокую переключаемую мощность с эффективным тепловыделением, что делает его пригодным для промышленных и коммерческих применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | модуль с изолированным основанием | | Монтаж | винтовой |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R05KE3
• Semikron: SKM100GB063D
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-050

Совместимые модели в линейке производителя:

• 1DI75E-050 (75A, 500V)
• 1DI150E-050 (150A, 500V)
• 1DI100E-060 (100A, 600V)

Применение

• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобили и зарядные станции

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры схемы. Некоторые аналоги могут отличаться по характеристикам, корпусу или управляющим сигналам.