IGBT 1DI200Z-100E

Описание IGBT модуля 1DI200Z-100E

1DI200Z-100E – это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для использования в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, надежность и компактную конструкцию, что делает его пригодным для промышленных и энергетических применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Номинальный ток (I_C) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (с базовой пластиной) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Монтаж | Винтовой |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• 1DI200Z-100 (без суффикса "E", возможно, устаревшая версия)
• FF200R12KT4 (аналог по характеристикам)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI200VA-100-50
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Рекомендуемые замены:

• IXYS (Littelfuse): IXGH200N100A3
• ON Semiconductor: NGTB200N100IHRWG

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы и ЧПУ
• Системы возобновляемой энергетики
• Сварочное оборудование

Если требуется точная замена, рекомендуется уточнить параметры схемы и условия эксплуатации. Некоторые аналоги могут отличаться по тепловым характеристикам или управляющим сигналам.