IGBT 1DI200Z-120

Описание IGBT модуля 1DI200Z-120

1DI200Z-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений в силовой электронике. Модуль выполнен в стандартном корпусе и используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других промышленных системах управления энергией.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В).
• Большой номинальный ток (200 А).
• Низкие потери проводимости и переключения.
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FRD).
• Высокая надежность и термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 200 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 К/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• 1DI200Z-120 (основная модель)
• 1DI200I-120 (возможна другая версия с аналогичными параметрами)

Аналоги от других производителей:

• FZ200R12KE3 (Infineon, 1200 В, 200 А)
• CM200DY-12NF (Powerex / Mitsubishi)
• MBN200H12 (Fuji Electric)
• SKM200GB12T4 (Semikron)

Совместимые модули (с проверкой распиновки!):

• FF200R12KE3 (Infineon)
• 2DI200D-120 (если требуется dual-модуль)

Примечания:

1. Перед заменой необходимо уточнять распиновку и механические габариты.
2. Для корректной работы рекомендуется использовать совместимые драйверы (например, 1ED020I12-F2 для управления).

Если требуется более точная информация по конкретному применению, уточните условия эксплуатации (частота, охлаждение и т. д.).